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Novel Nano-Carbon Science

〜環境・エネルギー材料への応用を目指して〜

 楠研究室では、炭化物の表面分解法によって得られる高配向カーボンナノチューブグラフェンをはじめとするナノカーボン薄膜の透過型電子顕微鏡による構造解析を行うとともに、大量合成法の開発、さらに、これらの材料の環境・エネルギー分野への応用実現に取り組んでいます。

 カーボンナノチューブ(CNT)、グラフェンに関する日本語解説記事(フリーダウンロード可能)はこちらから。高解像度版がご希望の方は、お気軽にw_norimatsu*esi.nagoya-u.ac.jp(*を@に変更してください)までご連絡ください。
 CNT:『表面技術2006』、『結晶成長学会誌2003』、グラフェン:『結晶成長学会誌2010』、『結晶学会誌2009
 英語解説論文は以下の通りです。
1. SiC上エピタキシャルグラフェンのアドバンテージと将来展望(Phys. Chem. Chem. Phys.誌)
2. エピタキシャルグラフェンの構造的特徴と成長機構(J. Phys. D: Appl. Phys.誌)
3. SiC上グラフェンの成長機構に関する実験・計算結果(Semicond. Sci. Tech.誌, 2014 Highlight, free download)
技術補佐員1名を募集中です。
募集の詳細はメールにてお問い合わせください。
w_norimatsu*esi.nagoya-u.ac.jpまで(*を@に変更してください)。

最新情報一覧
2015年8月3日 乗松助教が、米国モンタナ州Big Sky Resortで開催された第20回アメリカ結晶成長学会における2次元電子材料シンポジウムで招待講演「Growth of graphene and novel two-dimensional materials on SiC」を行いました。
2015年4月9日 新四年生4名と、博士後期課程1名が新たに参加しました!
2015年4月9日 2014年に出版した解説論文"Structural features of epitaxial graphene on SiC {0001}"(J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 094017)が、同誌の"the 30 most downloaded 2014 articles"に選ばれました。
2015年1月15日 2014年に出版した解説論文"Growth of graphene from SiC {0001} surfaces and its mechanisms"(Semiconductor Science and Technology, 29, 4009)が、同誌の"2014 Article Highlights"に選ばれました。2015年中はフリーで読めるようになります。
2015年1月15日 2010年に出版したグラフェン成長機構の論文(Physica E, 42, 691)が、同誌のThe most cited articles published since 2010の一つになりました。この5年間に出版された論文約17,000報の中で、14番目に多く引用されました。
2014年12月20日 今井雅人君(M1)が、日本表面科学会中部支部 第14回学術講演会 講演奨励賞を受賞しました。当グループからは5年連続の受賞です。
2014年10月31日 乗松助教が、秋田県田沢湖で開催された第3回「表面創成工学の新展開」研究会で招待講演「精密SiC表面で実現する高品質グラフェン成長とその展開」を行いました。
2014年10月19日 楠教授が、中国天津で開催された5th A3 Symposium on Emerging Materialsで招待講演を行いました。
2014年7月22日 楠教授が、北海道大学で開催された7th NTTH Joint Symposiumで招待講演「Novel Features of Graphene Derived from Various Carbides」を行いました。
2014年6月27日 島根大学の笹井亮准教授に集中講義をして頂きました。当日の懇親会の様子はこちら
2014年6月23日 文科省科研費基盤研究(B)および若手研究(A)の交付が決定しました。
2014年6月11日 乗松助教が、メキシコのカンクンで開催されたEMN Meetingで招待講演「Growth and structural/electronic properties of epitaxial graphene on SiC」を行いました。
2014年5月8日 Semiconductor Science and Technology誌から依頼された招待解説論文『Growth of graphene from SiC {0001} surfaces and its mechanisms』が出版されました。SiC上グラフェンの成長機構について、実験および理論の両側面からの我々の結果を記しています。当グループのグラフェン解説論文第3弾です。
2014年4月9日 メンバーとして、包研究員と新4年生4名が合流しました。
2014年3月6日 乗松助教が、東北大学通研共同プロジェクト講演会で招待講演「エピタキシャルグラフェンの構造解析」を行いました。
2014年2月18,19日 新学術領域「原子層科学」の第2回全体会議および合成班グラフェンミニ講演会を、名古屋大学で開催しました。当日の様子はこちら
2014年2月13日 Journal of Physics D: Applied Physics誌から依頼された招待解説論文『Structural features of epitaxial graphene on SiC {0001}』が出版されました。我々がこれまでに明らかにしてきたSiC表面上エピタキシャルグラフェンの構造的特徴と成長機構について記しています。当グループのグラフェン解説論文第2弾です。
2014年1月24日 乗松助教が、九州大学で開催された第6回グラフェン研究会で招待講演「透過型電子顕微鏡によるエピタキシャルグラフェンの結晶学的研究」を行いました。
2013年12月20日 Physical Chemistry Chemical Physics誌から依頼された招待解説論文『Epitaxial graphene on SiC {0001}: advances and perspectives』が出版されました。各種グラフェン成長方法の紹介と、その中におけるSiC上エピタキシャルグラフェンの位置づけ、アドバンテージと将来展望について記しています。当グループのグラフェン解説論文第1弾です。
2013年8月12日 グラフェンなどの単原子層物質を対象とした新学術領域研究「原子層科学」がスタートします。国内の強力な研究グループが結集し、5年間でこの新たな研究領域を発展させる科研費最大の研究種目です。楠教授がA01合成班の代表を務め、総括班にも参画しています。9/2,3にキックオフミーティングが仙台で開かれました。
2013年4月11日 Grapheneの教科書『Graphene: Fundamentals and emergent applications』に、グラフェン研究の歴史を代表する"key findings"の一つとして、グラフェンの成長機構や積層構造に関する我々の研究成果が図入りで詳しく紹介されています(P.11, P.207, P.289)。
2012年6月20日 当グループのグラフェンの電子顕微鏡像が、小学館の鉱物図鑑『図鑑NEO岩石・鉱物・化石』に掲載されました。非常に美しく、内容豊富な図鑑です。
2010年5月25日 楠美智子教授が、日本顕微鏡学会第55回学会賞(瀬藤賞)を受賞しました!(リンク日本顕微鏡学会HP
2010年4月19日 楠美智子教授、乗松航助教と関西大学谷准教授との研究チームの研究成果が日経新聞に取り上げられました。(リンク:日経新聞PDF
2009年2月17日 笹井亮講師と伊藤秀章特任教授の研究成果が中日新聞の朝刊1面で取り上げられました。(リンク: 中日新聞PDF
2008年8月22日 楠美智子教授、乗松航助教とJFCCとの研究チームの研究成果が朝日新聞、毎日新聞、読売新聞、中日新聞、日刊工業新聞、日経産業新聞に取り上げられました。(リンク:朝日新聞毎日新聞読売新聞中日新聞日刊工業新聞日経産業新聞

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